În prezent, multe dispozitive semiconductoare folosesc structuri de dispozitiv mesa, care sunt create predominant prin două tipuri de gravare: gravarea umedă și gravarea uscată. În timp ce gravarea umedă simplă și rapidă joacă un rol semnificativ în fabricarea dispozitivelor semiconductoare, are dez......
Citeşte mai multDispozitivele de putere cu carbură de siliciu (SiC) sunt dispozitive semiconductoare realizate din materiale cu carbură de siliciu, utilizate în principal în aplicații electronice de înaltă frecvență, temperatură înaltă, tensiune înaltă și putere mare. În comparație cu dispozitivele de putere tradiț......
Citeşte mai multCa material semiconductor de a treia generație, nitrura de galiu este adesea comparată cu carbura de siliciu. Nitrura de galiu își demonstrează în continuare superioritatea cu bandgap mare, tensiune mare de rupere, conductivitate termică ridicată, viteză mare de deplasare a electronilor saturati și ......
Citeşte mai multMaterialele GaN au câștigat proeminență după acordarea Premiului Nobel pentru Fizică în 2014 pentru LED-urile albastre. Intrând inițial în ochiul public prin aplicațiile de încărcare rapidă din electronicele de larg consum, amplificatoarele de putere și dispozitivele RF bazate pe GaN au apărut, de a......
Citeşte mai multÎn domeniul tehnologiei semiconductoarelor și al microelectronicii, conceptele de substrat și epitaxie au o importanță semnificativă. Ele joacă roluri critice în procesul de fabricație a dispozitivelor semiconductoare. Acest articol va analiza diferențele dintre substraturile semiconductoare și epit......
Citeşte mai mult