Epitaxie Ga2O3

Intră într-o nouă eră a excelenței semiconductoarelor cu Semicorex Ga2O3 Epitaxy, o soluție revoluționară care redefinește granițele puterii și eficienței. Proiectat cu precizie și inovație, epitaxia Ga2O3 oferă o platformă pentru dispozitivele de ultimă generație, promițând performanțe de neegalat în diverse aplicații.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Epitaxia Ga2O3, derivată din semiconductorul cu bandă interzisă de a patra generație, introduce un nou nivel de stabilitate a performanței și fiabilitate în medii extreme. Natura sa cu bandgap largă îl poziționează ca material de alegere pentru aplicații la temperaturi ridicate și radiații mari.

Puterea câmpului de defalcare ridicată: Beneficiați de intensitatea excepțională a câmpului de defalcare a lui Ga2O3 și de valorile ridicate Baliga, făcându-l un material de neegalat pentru aplicații de înaltă tensiune și putere mare. Epitaxia Ga2O3 asigură o fiabilitate sporită și pierderi minime de putere.

Epitaxia Ga2O3 se remarcă prin eficiența energetică superioară. Având valorile Baliga de patru ori mai mari decât GaN și de zece ori mai mari decât ale SiC, prezintă caracteristici excelente de conducere. Dispozitivele de epitaxie Ga2O3 prezintă pierderi de putere doar la 1/7 din SiC și o impresionantă 1/49 din dispozitivele pe bază de siliciu.

Duritatea mai mică a epitaxiei Ga2O3 simplifică procesul de fabricație, rezultând costuri reduse de procesare. Acest avantaj poziționează epitaxia Ga2O3 ca o soluție rentabilă și scalabilă pentru o gamă largă de aplicații.