4" substraturi de oxid de galiu

Substraturile de oxid de galiu Semicorex 4" prezintă o stabilitate chimică și termică excelentă, asigurând performanța sa rămâne consistentă și fiabilă chiar și în condiții extreme. Această robustețe este crucială în aplicațiile care implică temperaturi ridicate și medii reactive. În plus, substraturile cu oxid de galiu de 4" mențin o transparență optică excelentă pe o gamă largă de lungimi de undă, de la ultraviolete la infraroșu, ceea ce îl face atractiv pentru aplicații optoelectronice, inclusiv diode emițătoare de lumină și diode laser.

Cu o bandgap cuprinsă între 4,7 și 4,9 eV, substraturile de oxid de galiu de 4 inch depășesc semnificativ carbura de siliciu (SiC) și nitrura de galiu (GaN) în intensitățile critice ale câmpului electric, atingând până la 8 MV/cm comparativ cu 2,5 MV/cm ale SiC și 3,3 MV/cm a lui GaN Această proprietate, combinată cu o mobilitate a electronilor de 250 cm²/Vs și o transparență sporită în conducerea electricității, conferă substraturilor de oxid de galiu un avantaj semnificativ în electronica de putere. Cifra de merit a lui Baliga depășește 3000, de mai multe ori față de GaN și SiC, ceea ce indică o eficiență superioară în aplicațiile energetice.

Substraturile de oxid de galiu Semicorex 4" sunt deosebit de avantajoase pentru utilizarea în comunicații, radar, aerospațiale, vehicule feroviare de mare viteză și vehicule de energie nouă. Sunt deosebit de potrivite pentru senzorii de detectare a radiațiilor din aceste sectoare, în special în domeniul de mare putere, la temperatură ridicată, și dispozitive de înaltă frecvență în care Ga2O3 prezintă avantaje semnificative față de SiC și GaN.