Halfmoon acoperit cu TaC

Halfmoon acoperit cu Semicorex TaC oferă avantaje convingătoare în creșterea epitaxială a carburii de siliciu (SiC) pentru electronice de putere și aplicații RF. Această combinație de materiale abordează provocările critice ale epitaxiei SiC, permițând o calitate mai bună a plachetelor, o eficiență îmbunătățită a procesului și costuri de producție reduse. Noi, cei de la Semicorex, suntem dedicați producției și furnizării Halfmoon acoperite cu TaC de înaltă performanță, care îmbină calitatea cu eficiența costurilor.**

Trimite o anchetă

Descriere produs

Halfmoon acoperit cu Semicorex TaC își menține integritatea structurală și inerția chimică la temperaturile ridicate (până la 2200°C) necesare pentru epitaxia SiC. Acest lucru asigură o performanță termică constantă și previne reacțiile nedorite cu gazele de proces sau materialele sursă. Și poate fi proiectat pentru a optimiza conductivitatea termică și emisivitatea, promovând o distribuție uniformă a căldurii pe suprafața susceptorului. Acest lucru duce la profile mai omogene de temperatură a plachetelor și la o uniformitate îmbunătățită în grosimea stratului epitaxial și concentrația de dopaj. Mai mult, coeficientul de dilatare termică al Halfmoon acoperit cu TaC poate fi adaptat pentru a se potrivi cu cel al SiC, minimizând stresul termic în timpul ciclurilor de încălzire și răcire. Acest lucru reduce înclinarea plachetelor și riscul formării defectelor, contribuind la randamente mai mari ale dispozitivului.

Halfmoon acoperit cu TaC prelungește semnificativ durata de viață a susceptorilor de grafit în comparație cu alternativele neacoperite/acoperite cu SiC. Rezistența sporită la depunerea de SiC și degradarea termică reduce frecvența ciclurilor de curățare și înlocuire, scăzând costurile totale de producție.

Beneficii pentru performanța dispozitivului SiC:

Fiabilitate și performanță îmbunătățite ale dispozitivului:Uniformitatea îmbunătățită și densitatea redusă a defectelor în straturile epitaxiale crescute pe Halfmoon acoperit cu TaC se traduc prin randamente mai mari ale dispozitivului și performanțe îmbunătățite în ceea ce privește tensiunea de defalcare, rezistența la pornire și viteza de comutare.

Soluție rentabilă pentru producția de volum mare:Durata de viață prelungită, cerințele reduse de întreținere și calitatea îmbunătățită a plachetelor contribuie la un proces de fabricație mai rentabil pentru dispozitivele de alimentare SiC.

Halfmoon acoperit cu Semicorex TaC joacă un rol esențial în promovarea epitaxiei SiC, abordând provocările cheie legate de compatibilitatea materialelor, managementul termic și contaminarea procesului. Acest lucru permite producerea de plachete SiC de calitate superioară, ceea ce duce la dispozitive electronice de putere mai eficiente și mai fiabile pentru aplicații în vehicule electrice, energie regenerabilă și alte industrii solicitante.