SOI Wafer Silicon On Izolator

SOI Wafer Silicon On Insulator, cunoscut și sub numele de Silicon-On-Insulator wafer, este un tip de plachetă semiconductoare care este utilizat pe scară largă în fabricarea de circuite integrate (CI) avansate. Oferă mai multe avantaje față de plăcile tradiționale de siliciu în vrac, ceea ce o face o alegere populară în industria semiconductoarelor.

Structura unui izolator SOI Wafer Silicon On constă din trei straturi principale: un strat subțire de siliciu (stratul dispozitivului), un strat de material izolator (cutie) și un strat de bază de silicon masiv (mâner).

Stratul izolator dintr-un izolator SOI Wafer Silicon On oferă mai multe beneficii. În primul rând, reduce capacitatea parazită dintre tranzistoare, rezultând performanțe îmbunătățite ale circuitului și funcționare cu viteză mai mare. Această capacitate redusă ajută, de asemenea, la scăderea consumului de energie, făcând dispozitivele SOI potrivite pentru aplicații eficiente din punct de vedere energetic.

În plus, stratul izolator asigură izolarea electrică între dispozitivele active, reducând diafonia și îmbunătățind integritatea semnalului în circuitele de înaltă frecvență. Acest lucru este deosebit de avantajos în aplicațiile cu frecvență radio (RF) și analogice în care calitatea semnalului este critică.

Un alt avantaj al SOI Wafer Silicon On Insulator este duritatea la radiații. Stratul izolator acționează ca un scut natural împotriva efectelor induse de radiații, făcând dispozitivele SOI mai rezistente la deteriorarea radiațiilor. Această proprietate face ca tehnologia SOI să fie potrivită pentru medii aerospațiale, nucleare și alte medii cu radiații mari.