Inel de focalizare SiC

Semicorex SiC Focus Ring este o componentă în formă de inel proiectată cu precizie, fabricată din carbură de siliciu de înaltă puritate. Inelul de focalizare SiC este proiectat pentru aplicații avansate de procesare a semiconductoarelor. Carbura de siliciu de înaltă puritate oferă performanțe excelente în ceea ce privește stabilitatea termică (punct de topire ridicat), durabilitatea mecanică (duritate ridicată) și proprietățile de conducere electrică, care sunt esențiale pentru a se potrivi cu specificațiile multor tehnologii de fabricare a plachetelor de generație următoare. Inelele de focalizare SiC sunt componente care se găsesc în componentele camerei de gravare cu plasmă și depunere și joacă un rol esențial în controlul distribuției plasmei, obținerea uniformității plachetelor și randamentul în producția de masă.

Puritatea materialului și performanța electrică a inelului de focalizare SiC sunt unii dintre cei mai critici factori care definesc această componentă și o diferențiază de materialele ceramice. De înaltă puritatecarbură de siliciueste spre deosebire de materialele ceramice tradiționale, deoarece oferă o combinație de 

duritate, precum și rezistență la multe substanțe chimice și proprietăți electrice unice. În special, mai important, carbura de siliciu de înaltă puritate poate fi proiectată folosind dopanți și metode de procesare pentru a produce cele mai potrivite niveluri de performanță conductivă sau insultătoare cu echilibrul semiconductor ideal pentru a interacționa cu plasma, permițând o performanță stabilă în medii cu energie ridicată în care acumularea de încărcare și dezechilibrul electric sunt mai susceptibile de a provoca erori de proces.

Datorită efectului de margine al plasmei, densitatea este mai mare în centru și mai mică la margini. Inelul de focalizare, prin forma sa inelară și proprietățile materialului CVD SiC, generează un câmp electric specific. Acest câmp ghidează și limitează particulele încărcate (ioni și electroni) din plasmă la suprafața plachetei, în special la margine. Acest lucru crește efectiv densitatea plasmei la margine, apropiindu-o de cea din centru. Acest lucru îmbunătățește în mod semnificativ uniformitatea de gravare pe placa, reduce deteriorarea marginilor și crește randamentul.

Puritatea materialului și performanța electrică a inelului de focalizare SiC sunt unii dintre cei mai critici factori care definesc această componentă și o diferențiază de materialele ceramice. De înaltă puritate

Aplicațiile SiC Focus Ring acoperă o gamă largă în fabricarea semiconductoarelor: DRAM, flash NAND, dispozitive logice și noi tehnologii de semiconductor de putere. Pe măsură ce geometriile dispozitivelor se micșorează și continuă să avanseze prin nodurile de proces, nevoia de componente ale camerei stabile, extrem de fiabile, cum ar fi Inelul de focalizare SiC, devine critică. SiC Focus Ring oferă controlul exact al plasmei și îmbunătățește constant calitatea plachetelor, promovând ambițiile industriei către dispozitive electronice din ce în ce mai mici, mai rapide și mai eficiente. Semicorex SiC Focus Ring definește punctul de intersecție al științei materialelor, al ingineriei de precizie și al evoluției proceselor semiconductoare. Inelul de focalizare SiC are stabilitate termică excelentă, rezistență chimică superioară și conductivitate electrică aproape specifică. Aceste caracteristici îl fac o componentă critică în asigurarea fiabilității și a randamentului în timpul proceselor.