> Știri

Știri

Progresul cercetării acoperirilor TaC pe suprafețele materialelor pe bază de carbon

Materialele pe bază de carbon, cum ar fi grafitul, fibrele de carbon și compozitele carbon/carbon (C/C), sunt cunoscute pentru rezistența specifică ridicată, modulul specific ridicat și proprietățile termice excelente, făcându-le potrivite pentru o gamă largă de aplicații la temperaturi înalte. . Ac......

Citeşte mai mult

Ce aplicații ale substratului cu nitrură de galiu (GaN)?

Nitrura de galiu (GaN) este un material important în tehnologia semiconductoarelor, cunoscut pentru proprietățile sale electronice și optice excepționale. GaN, ca semiconductor cu bandgap largă, are o energie bandgap de aproximativ 3,4 eV, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de mare putere și de ......

Citeşte mai mult

O revizuire a 9 tehnici de sinterizare pentru ceramica cu carbură de siliciu

Carbura de siliciu (SiC), o ceramică structurală proeminentă, este renumită pentru proprietățile sale excepționale, inclusiv rezistența la temperatură ridicată, duritatea, modulul elastic, rezistența la uzură, conductivitatea termică și rezistența la coroziune. Aceste atribute îl fac potrivit pentru......

Citeşte mai mult

Provocări tehnice în cuptoarele de creștere a cristalelor cu carbură de siliciu

Cuptoarele de creștere a cristalelor cu carbură de siliciu (SiC) sunt piatra de temelie a producției de napolitane de SiC. În timp ce împărtășesc asemănări cu cuptoarele tradiționale de creștere a cristalelor de siliciu, cuptoarele de SiC se confruntă cu provocări unice din cauza condițiilor extreme......

Citeşte mai mult

Tehnologia de purificare a grafitului în semiconductor SiC

Grafitul este vital în producerea semiconductorilor din carbură de siliciu (SiC), cunoscuți pentru proprietățile lor termice și electrice excepționale. Acest lucru face ca SiC să fie ideal pentru aplicații de mare putere, temperatură ridicată și frecvență înaltă. În producția de semiconductori SiC, ......

Citeşte mai mult

Metoda de creștere a cristalelor GaN

Atunci când se produc substraturi cu un singur cristal GaN de dimensiuni mari, HVPE este în prezent cea mai bună alegere pentru comercializare. Cu toate acestea, concentrația de purtător din spate a GaN crescut nu poate fi controlată cu precizie.

Citeşte mai mult

<...5 6 7 8 9...30 >