În fabricarea semiconductoarelor, oxidarea implică plasarea plachetei într-un mediu cu temperatură ridicată, unde oxigenul curge pe suprafața plachetei pentru a forma un strat de oxid. Acest lucru protejează placheta de impuritățile chimice, previne intrarea curentului de scurgere în circuite, previ......
Citeşte mai multCuarțul aparține sistemului de cristal trigonal, care este un cristal mineral cadru tridimensional compus din dioxid de siliciu. De obicei, cuarțul pur este incolor și transparent, dar capătă o varietate de nuanțe ca urmare a urmelor de ioni de pigment, a incluziunilor fin dispersate sau a formării ......
Citeşte mai multMaterialul SiC nu este compus dintr-un singur tetraedru de un atom de Si și un atom de C, ci din nenumărați atomi de Si și C. Un număr mare de atomi de Si și C formează straturi duble atomice ondulate (un strat de atomi de C și un strat de atomi de Si) și numeroase straturi atomice duble se stivuies......
Citeşte mai multFabricarea și prelucrarea substraturilor de carbură de siliciu de înaltă calitate implică bariere tehnice extrem de ridicate. Numeroase provocări persistă pe parcursul întregului proces, de la pregătirea materiilor prime până la fabricarea produsului finit, care a devenit un factor crucial care limi......
Citeşte mai multDiscurile de frână carbon-ceramice sunt soluții de frână de înaltă performanță, realizate precis din materiale compozite pe bază de carbură de siliciu, armate cu fibră de carbon, ale căror origini tehnice pot fi urmărite încă din domeniul frânării aeronavelor în anii 1970. Folosind rezistența și dur......
Citeşte mai mult