Carbura de siliciu (SiC) joacă un rol important în fabricarea electronicelor de putere și a dispozitivelor de înaltă frecvență datorită proprietăților sale electrice și termice excelente. Calitatea și nivelul de dopaj al cristalelor de SiC afectează direct performanța dispozitivului, astfel încât co......
Citeşte mai multÎn procesul de creștere a monocristalelor de SiC și AlN prin metoda de transport fizic al vaporilor (PVT), componente precum creuzetul, suportul de cristal de semințe și inelul de ghidare joacă un rol vital. În timpul procesului de preparare a SiC, cristalul de sămânță este situat într-o regiune de ......
Citeşte mai multMaterialul substratului SiC este miezul cipului SiC. Procesul de producție al substratului este: după obținerea lingoului de cristal de SiC prin creșterea monocristalului; apoi pregătirea substratului de SiC necesită netezire, rotunjire, tăiere, șlefuire (subțiere); lustruire mecanică, lustruire mec......
Citeşte mai multCarbura de siliciu (SiC) este un material care posedă o stabilitate termică, fizică și chimică excepțională, prezentând proprietăți care depășesc cele ale materialelor convenționale. Conductivitatea sa termică este uimitoare de 84 W/(m·K), care este nu numai mai mare decât cuprul, ci și de trei ori ......
Citeşte mai multÎn domeniul în evoluție rapidă al producției de semiconductori, chiar și cele mai mici îmbunătățiri pot face o mare diferență atunci când vine vorba de obținerea performanței, durabilității și eficienței optime. Un progres care generează o mulțime de zgomot în industrie este utilizarea acoperirii Ta......
Citeşte mai mult