> Știri

Știri

Bărci SiC vs. Bărci cu cuarț: utilizare actuală și tendințe viitoare în fabricarea semiconductoarelor

Acest articol analizează utilizarea și traiectoria viitoare a bărcilor cu carbură de siliciu (SiC) în relație cu bărcile de cuarț în industria semiconductoarelor, concentrându-se în special pe aplicațiile acestora în fabricarea celulelor solare.

Citeşte mai mult

Tăiere SiC

Carbura de siliciu (SiC) este foarte favorizată în industria semiconductoarelor pentru proprietățile sale fizice și chimice excelente. Cu toate acestea, duritatea ridicată și fragilitatea SiC reprezintă provocări considerabile pentru prelucrarea acestuia.

Citeşte mai mult

Plachete epitaxiale cu nitrură de galiu: o introducere în procesul de fabricație

Creșterea plachetelor epitaxiale cu nitrură de galiu (GaN) este un proces complex, care utilizează adesea o metodă în două etape. Această metodă implică mai multe etape critice, inclusiv coacere la temperatură înaltă, creșterea stratului tampon, recristalizare și recoacere. Prin controlul meticulos ......

Citeşte mai mult

Care este diferența dintre napolitanele epitaxiale și difuze

Atât plachetele epitaxiale, cât și cele difuze sunt materiale esențiale în fabricarea semiconductoarelor, dar diferă semnificativ în procesele lor de fabricație și în aplicațiile țintă. Acest articol analizează diferențele cheie dintre aceste tipuri de napolitane.

Citeşte mai mult

Fluxul procesului de miez al substratului cu carbură de siliciu

Substratul cu carbură de siliciu este un material monocristal compus semiconductor compus din două elemente, carbon și siliciu. Are caracteristicile unui bandgap mare, conductivitate termică ridicată, intensitate ridicată a câmpului critic de defalcare și rată ridicată de saturație a electronilor.

Citeşte mai mult

Rolul critic al substraturilor SiC și al creșterii cristalelor în industria semiconductoarelor

În cadrul lanțului industrial de carbură de siliciu (SiC), furnizorii de substraturi dețin o pârghie semnificativă, în principal datorită distribuției valorii. Substraturile SiC reprezintă 47% din valoarea totală, urmate de straturile epitaxiale cu 23%, în timp ce proiectarea și fabricarea dispoziti......

Citeşte mai mult

<...24 25 26 27 28...47 >