Procesul substratului de carbură de siliciu este complex și dificil de fabricat. Substratul SiC ocupă principala valoare a lanțului industrial, reprezentând 47%. Este de așteptat ca, odată cu extinderea capacității de producție și îmbunătățirea randamentului în viitor, este de așteptat să scadă la 3......
Citeşte mai multÎn prezent, multe dispozitive semiconductoare folosesc structuri de dispozitiv mesa, care sunt create predominant prin două tipuri de gravare: gravarea umedă și gravarea uscată. În timp ce gravarea umedă simplă și rapidă joacă un rol semnificativ în fabricarea dispozitivelor semiconductoare, are dez......
Citeşte mai multCeramica cu carbură de siliciu oferă numeroase avantaje în industria fibrelor optice, inclusiv stabilitate la temperatură ridicată, coeficient scăzut de dilatare termică, prag scăzut de pierdere și deteriorare, rezistență mecanică, rezistență la coroziune, conductivitate termică bună și constantă di......
Citeşte mai multDispozitivele de putere cu carbură de siliciu (SiC) sunt dispozitive semiconductoare realizate din materiale cu carbură de siliciu, utilizate în principal în aplicații electronice de înaltă frecvență, temperatură înaltă, tensiune înaltă și putere mare. În comparație cu dispozitivele de putere tradiț......
Citeşte mai mult