Carbura de siliciu are un număr mare de aplicații în industriile emergente și industriile tradiționale. În prezent, piața globală a semiconductorilor a depășit 100 de miliarde de yuani. Este de așteptat ca până în 2025, vânzările globale de materiale de fabricare a semiconductoarelor să ajungă la 39......
Citeşte mai multÎn fabricarea tradițională a dispozitivelor de alimentare cu siliciu, difuzia la temperatură înaltă și implantarea ionică reprezintă metodele principale pentru controlul dopanților, fiecare cu avantajele și dezavantajele sale. În mod obișnuit, difuzia la temperatură înaltă este caracterizată prin si......
Citeşte mai multCarbura de siliciu (SiC) este o substanță anorganică. Cantitatea de carbură de siliciu naturală este foarte mică. Este un mineral rar și se numește moissanit. Carbura de siliciu utilizată în producția industrială este în mare parte sintetizată artificial.
Citeşte mai multÎn industria semiconductoarelor, straturile epitaxiale joacă un rol crucial prin formarea unor filme subțiri monocristaline specifice deasupra unui substrat de plachetă, cunoscute în mod colectiv sub numele de plachete epitaxiale. În special, straturile epitaxiale de carbură de siliciu (SiC) crescut......
Citeşte mai multCreșterea epitaxială se referă la procesul de creștere a unui strat monocristalin bine ordonat din punct de vedere cristalografic pe un substrat. În general, creșterea epitaxială implică cultivarea unui strat de cristal pe un substrat monocristal, stratul crescut având aceeași orientare cristalograf......
Citeşte mai mult