Unitatea în semiconductor: Angstrom

Ce este Angstrom?

Angstrom (simbol: Å) este o unitate foarte mică de lungime, folosită în principal pentru a descrie scara fenomenelor microscopice, cum ar fi distanțele dintre atomi și molecule sau grosimea filmelor subțiri în fabricarea plachetelor. Un angstrom este egal cu \(10^{-10}\) metri, ceea ce este echivalent cu 0,1 nanometri (nm).

Pentru a ilustra acest concept mai intuitiv, luați în considerare următoarea analogie: diametrul unui păr uman este de aproximativ 70.000 de nanometri, ceea ce se traduce în 700.000 Å. Dacă ne imaginăm 1 metru ca diametrul Pământului, atunci 1 Å se compară cu diametrul unui fir mic de nisip de pe suprafața Pământului.

În fabricarea circuitelor integrate, angstromul este deosebit de util deoarece oferă o modalitate precisă și convenabilă de a descrie grosimea straturilor de peliculă extrem de subțire, cum ar fi oxidul de siliciu, nitrura de siliciu și straturile dopate. Odată cu progresul tehnologiei proceselor semiconductoare, capacitatea de a controla grosimea a atins nivelul straturilor atomice individuale, făcând din angstrom o unitate indispensabilă în domeniu.

În fabricarea circuitelor integrate, utilizarea angstrom-urilor este extinsă și crucială. Această măsurătoare joacă un rol semnificativ în procese cheie, cum ar fi depunerea filmului subțire, gravarea și implantarea ionică. Mai jos sunt câteva scenarii tipice:

1. Controlul grosimii filmului subțire

Materialele cu peliculă subțire, cum ar fi oxidul de siliciu (SiO₂) și nitrura de siliciu (Si₃N₄), sunt utilizate în mod obișnuit ca straturi izolante, straturi de mască sau straturi dielectrice în fabricarea semiconductorilor. Grosimea acestor filme are un impact vital asupra performanței dispozitivului.  

De exemplu, stratul de oxid de poartă al unui MOSFET (tranzistor cu efect de câmp cu semiconductor de oxid de metal) are de obicei o grosime de câțiva nanometri sau chiar de câțiva angstromi. Dacă stratul este prea gros, poate degrada performanța dispozitivului; dacă este prea subțire, poate duce la defecțiune. Tehnologiile de depunere chimică în vapori (CVD) și depunerea stratului atomic (ALD) permit depunerea de filme subțiri cu o precizie la nivel de angstrom, asigurând că grosimea îndeplinește cerințele de proiectare.

2. Controlul dopajului  

În tehnologia de implantare ionică, adâncimea de penetrare și doza ionilor implantați afectează semnificativ performanța dispozitivului semiconductor. Angstromii sunt frecvent folosiți pentru a descrie distribuția adâncimii de implantare. De exemplu, în procesele de joncțiune superficială, adâncimea de implantare poate fi la fel de mică ca zeci de angstromi.

3. Precizie de gravare

În gravarea uscată, controlul precis asupra ratei de gravare și a timpului de oprire până la nivelul angstrom este esențial pentru a evita deteriorarea materialului de bază. De exemplu, în timpul gravării porții a unui tranzistor, gravarea excesivă poate duce la o performanță degradată.

4. Tehnologia de depunere a stratului atomic (ALD).

ALD este o tehnică care permite depunerea materialelor câte un strat atomic, fiecare ciclu formând de obicei o grosime a filmului de numai 0,5 până la 1 Å. Această tehnologie este deosebit de benefică pentru construirea de filme ultra-subțiri, cum ar fi dielectricii de poartă utilizate cu materiale cu constantă dielectrică ridicată (High-K).

Semicorex oferă calitate înaltăplachete semiconductoare. Dacă aveți întrebări sau aveți nevoie de detalii suplimentare, vă rugăm să nu ezitați să ne contactați.

Numărul de telefon de contact +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com