Acasă > Știri > Știri din industrie

Care este avantajul carburei de siliciu?

2023-04-06

Carbura de siliciu (SiC) este un semiconductor compus care a câștigat popularitate în ultimii ani datorită numeroaselor sale avantaje față de materialele semiconductoare tradiționale, cum ar fi siliciul. SiC are mai mult de 200 de tipuri de cristale, iar curentul său principal 4H-SiC, de exemplu, are o lățime de bandă interzisă de 3,2 eV. Mobilitatea electronilor de saturație, puterea câmpului electric de defalcare și conductivitatea termică sunt toate mai bune decât cele ale semiconductorilor convenționali pe bază de siliciu, cu proprietăți superioare precum rezistența la tensiune înaltă, rezistența la temperatură ridicată și pierderi reduse.



Si

GaAs

Sic

GaN

Lățime de bandă (eV)

1.12

1.43

3.2

3.4

Viteza de deplasare saturată (107cm/s)

1.0

1.0

2.0

2.5

Conductivitate termică (W·cm-1·K-1)

1.5

0.54

4.0

1.3

Puterea de rupere (MV/cm)

0.3

0.4

3.5

3.3


Unul dintre avantajele principale ale carburii de siliciu este conductivitatea sa termică ridicată, care îi permite să disipeze căldura mai eficient decât materialele semiconductoare tradiționale. Acest lucru îl face un material ideal pentru utilizare în aplicații la temperaturi ridicate, cum ar fi electronicele de putere, unde căldura excesivă poate cauza probleme de performanță sau chiar defecțiuni.


Un alt avantaj al carburii de siliciu este tensiunea mare de rupere, care îi permite să gestioneze tensiuni și densități de putere mai mari decât materialele semiconductoare tradiționale. Acest lucru îl face deosebit de util în aplicațiile electronice de putere, cum ar fi invertoarele, care convertesc puterea de curent continuu în putere de curent alternativ și în aplicațiile de control al motoarelor.


Carbura de siliciu are, de asemenea, o mobilitate mai mare a electronilor decât semiconductorii tradiționali, ceea ce înseamnă că electronii se pot mișca prin material mai rapid. Această proprietate îl face bine potrivit pentru aplicații de înaltă frecvență, cum ar fi amplificatoarele RF și dispozitivele cu microunde.

În cele din urmă, carbura de siliciu are un bandgap mai mare decât semiconductorii tradiționali, ceea ce înseamnă că poate funcționa la temperaturi mai ridicate fără a suferi defecțiuni termice. Acest lucru îl face ideal pentru utilizare în aplicații la temperaturi înalte, cum ar fi electronice aerospațiale și auto.


În concluzie, carbura de siliciu este un semiconductor compus cu multe avantaje față de materialele semiconductoare tradiționale. Conductivitatea termică ridicată, tensiunea mare de defalcare, mobilitatea mare a electronilor și bandgap-ul mai mare îl fac bine potrivit pentru o gamă largă de aplicații electronice, în special în aplicații de temperatură înaltă, putere mare și frecvență înaltă. Pe măsură ce tehnologia continuă să avanseze, este probabil ca utilizarea carburii de siliciu să continue să crească în importanță în industria semiconductoarelor.





We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept