ALN WAFER CRISTAL

Semicorex Aln Wafer cu un singur cristal este un avans revoluționar în tehnologia semiconductorului, oferind o combinație unică de proprietăți electrice, termice și mecanice excepționale. Ca material semiconductor cu bandă ultra-lățime cu un bandgap de 6,2 eV, ALN este recunoscut din ce în ce mai mult ca substrat optim pentru dispozitive optoelectronice de înaltă calitate, de înaltă frecvență și ultraviolete profunde (UV). Aceste proprietăți poziționează ALN ca o alternativă superioară la substraturile tradiționale, cum ar fi safir, carbură de siliciu (SIC) și nitrură de galiu (GAN), în special în aplicații care solicită o stabilitate termică extremă, tensiune de defalcare ridicată și conductivitate termică superioară.

În prezent, ALN cu un singur cristal cu un singur cristal este disponibil comercial în dimensiuni de până la 2 centimetri în diametru. Pe măsură ce eforturile de cercetare și dezvoltare continuă, progresele tehnologiilor de creștere a cristalelor sunt de așteptat să permită dimensiuni mai mari de plajă, îmbunătățirea scalabilității producției și reducând costurile pentru aplicațiile industriale.

Similar cu creșterea cu un singur cristal SIC, cristalele unice ALN nu pot fi cultivate prin metoda topiturii, dar pot fi cultivate doar prin transportul de vapori fizici (PVT).

Există trei strategii importante de creștere pentru creșterea PVT cu un singur cristal ALN:

1) Creșterea spontană a nucleării

2) Creșterea heteroepitaxială pe substratul 4H-/6H-SIC

3) Creștere homoepitaxială

ALN Wafer cu un singur cristal se distinge prin banda lor ultra-lățime de 6,2 eV, ceea ce garantează o izolație electrică excepțională și performanțe UV profunde inegalabile. Aceste napolitane se laudă cu un câmp electric de defalcare ridicat, care o depășește pe cel al SIC și GAN, poziționându-le ca alegere optimă pentru dispozitivele electronice de mare putere. Cu o conductivitate termică impresionantă de aproximativ 320 W/mk, acestea asigură o disipare eficientă a căldurii, o cerință critică pentru aplicațiile de mare putere. ALN nu este numai stabil din punct de vedere chimic și termic, dar menține și performanțe de vârf în medii extreme. Rezistența sa superioară de radiații o face o opțiune de neegalat pentru aplicații spațiale și nucleare. Mai mult, proprietățile sale piezoelectrice remarcabile, viteza mare de ferăstrău și cuplarea electromecanică puternică o stabilesc ca un candidat de excepție pentru dispozitivele, filtrele și senzorii de ferăstrău la nivel GHZ.

ALN cu un singur wafer de cristal găsește aplicații extinse în diferite dispozitive electronice și optoelectronice de înaltă performanță. Ele servesc ca substrat ideal pentru optoelectronica profundă ultravioletă (DUV), inclusiv LED-uri UV profunde care funcționează în intervalul de 200-280 nm pentru sterilizare, purificare a apei și aplicații biomedicale, precum și diode laser UV (LD) utilizate în câmpuri industriale și medicale avansate. ALN este, de asemenea, utilizat pe scară largă în dispozitive electronice de înaltă putere și de înaltă frecvență, în special în componentele de frecvență radio (RF) și cu microunde, unde tensiunea sa de defalcare ridicată și împrăștierea cu electroni scăzute asigură performanțe superioare în amplificatoarele de putere și sistemele de comunicare. În plus, joacă un rol crucial în electronica electrică, îmbunătățind eficiența invertoarelor și convertoarelor în vehicule electrice, sisteme de energie regenerabilă și aplicații aerospațiale. Mai mult, proprietățile piezoelectrice excelente ale ALN și viteza ridicată de ferăstrău îl fac un material optim pentru dispozitivele de undă acustică de suprafață (SAW) și dispozitiv de undă acustică în vrac (BAW), care sunt esențiale pentru telecomunicații, procesarea semnalului și tehnologii de detectare. Datorită conductivității sale termice excepționale, ALN este, de asemenea, un material cheie în soluțiile de gestionare termică pentru LED-uri de mare putere, diode laser și module electronice, oferind o disipare eficientă a căldurii și îmbunătățirea longevității dispozitivului.

Semicorex Aln Wafer cu un singur cristal reprezintă viitorul substraturilor semiconductoare, oferind proprietăți electrice, termice și piezoelectrice de neegalat. Aplicațiile lor în optoelectronica UV profundă, electronica electrică și dispozitivele de undă acustică le fac un material extrem de căutat pentru tehnologia de generație următoare. Pe măsură ce capacitățile de fabricație continuă să se îmbunătățească, Aln Wafers va deveni o componentă indispensabilă a dispozitivelor semiconductoare de înaltă performanță, deschizând calea pentru progrese inovatoare în mai multe industrii.