Ca material semiconductor de a treia generație, nitrura de galiu este adesea comparată cu carbura de siliciu. Nitrura de galiu își demonstrează în continuare superioritatea cu bandgap mare, tensiune mare de rupere, conductivitate termică ridicată, viteză mare de deplasare a electronilor saturati și ......
Citeşte mai multMaterialele GaN au câștigat proeminență după acordarea Premiului Nobel pentru Fizică în 2014 pentru LED-urile albastre. Intrând inițial în ochiul public prin aplicațiile de încărcare rapidă din electronicele de larg consum, amplificatoarele de putere și dispozitivele RF bazate pe GaN au apărut, de a......
Citeşte mai multÎn domeniul tehnologiei semiconductoarelor și al microelectronicii, conceptele de substrat și epitaxie au o importanță semnificativă. Ele joacă roluri critice în procesul de fabricație a dispozitivelor semiconductoare. Acest articol va analiza diferențele dintre substraturile semiconductoare și epit......
Citeşte mai multProcesul de producție de carbură de siliciu (SiC) cuprinde pregătirea substratului și a epitaxiei din partea materialelor, urmate de proiectarea și fabricarea cipurilor, ambalarea dispozitivelor și, în final, distribuția către piețele de aplicații din aval. Printre aceste etape, prelucrarea material......
Citeşte mai mult