Infineon dezvăluie primul Wafer Power GaN de 300 mm din lume

Recent, Infineon Technologies a anunțat dezvoltarea cu succes a primei tehnologii cu nitrură de galiu (GaN) cu putere de 300 mm din lume. Acest lucru îi face prima companie care stăpânește această tehnologie revoluționară și realizează producție de masă în mediile de producție existente la scară largă, de mare capacitate. Această inovație marchează un progres semnificativ pe piața semiconductoarelor de putere bazate pe GaN.

Cum se compară tehnologia 300 mm cu tehnologia 200 mm?

În comparație cu tehnologia de 200 mm, folosirea napolitanelor de 300 mm permite producerea a de 2,3 ori mai multe cipuri GaN per napolitană, îmbunătățind semnificativ eficiența și producția. Această descoperire nu numai că consolidează liderul Infineon în domeniul sistemelor de energie, dar accelerează și dezvoltarea rapidă a tehnologiei GaN.

Ce a spus CEO-ul Infineon despre această realizare?

CEO-ul Infineon Technologies, Jochen Hanebeck, a declarat: „Această realizare remarcabilă demonstrează puterea noastră puternică în inovare și este o dovadă a eforturilor necruțătoare ale echipei noastre globale. Credem cu tărie că această descoperire tehnologică va remodela normele industriei și va debloca întregul potențial al tehnologiei GaN. La aproape un an de la achiziționarea GaN Systems, ne arătăm din nou hotărârea de a conduce pe piața GaN în creștere rapidă. În calitate de lider în sistemele de alimentare, Infineon a câștigat un avantaj competitiv în trei materiale cheie: siliciu, carbură de siliciu și GaN.”

CEO-ul Infineon, Jochen Hanebeck, deține una dintre primele wafer-uri GaN Power de 300 mm din lume produse într-un mediu de producție de mare volum existent și scalabil.

De ce este tehnologia GaN de 300 mm avantajoasă?

Un avantaj semnificativ al tehnologiei GaN de 300 mm este că poate fi produsă folosind echipamente existente de fabricare a siliciului de 300 mm, deoarece GaN și siliciul au similarități în procesele de fabricație. Această caracteristică permite Infineon să integreze fără probleme tehnologia GaN în sistemele sale de producție actuale, accelerând astfel adoptarea și aplicarea tehnologiei.

Unde a produs Infineon cu succes napolitane GaN de 300 mm?

În prezent, Infineon a fabricat cu succes napolitane GaN de 300 mm pe liniile existente de producție de siliciu de 300 mm la centrala sa electrică din Villach, Austria. Bazându-se pe baza stabilită a tehnologiei GaN de 200 mm și a producției de siliciu de 300 mm, compania și-a extins în continuare capacitățile tehnologice și de producție.

Ce înseamnă această descoperire pentru viitor?

Această descoperire nu numai că evidențiază punctele forte ale Infineon în inovare și capacități de producție la scară largă, dar pune și o bază solidă pentru dezvoltarea viitoare a industriei semiconductoarelor de putere. Pe măsură ce tehnologia GaN continuă să evolueze, Infineon va continua să stimuleze creșterea pieței, sporindu-și și mai mult poziția de lider în industria globală a semiconductoarelor.**