Aplicații cu carbură de siliciu

Carbură de siliciuare un număr mare de aplicații în industriile emergente și industriile tradiționale. În prezent, piața globală a semiconductorilor a depășit 100 de miliarde de yuani. Este de așteptat ca până în 2025, vânzările globale de materiale pentru fabricarea semiconductoarelor să ajungă la 39,5 miliarde de dolari SUA, dintre carecarbură de siliciuPiața semiconductorilor este de așteptat să atingă o dimensiune a pieței de 2,5 miliarde de dolari SUA în 2025. În același timp,carbură de siliciueste încă materialul cu cele mai bune performanțe de aplicare în ceramică tradițională, refractare, temperatură ridicată, șlefuire și alte domenii.

1. Câmpul semiconductorilor

Discurile de șlefuit, dispozitivele de fixare etc. sunt echipamente importante de proces pentru producția de plachete de siliciu în industria semiconductoarelor. Discul de șlefuit folosind ceramică cu carbură de siliciu are duritate mare, uzură redusă, iar coeficientul de dilatare termică este practic același cu cel al plachetei de siliciu, astfel încât poate fi șlefuit și lustruit la viteză mare. În plus, atunci când sunt produse napolitane de siliciu, acestea trebuie să fie supuse unui tratament termic la temperatură înaltă, iar dispozitivele de fixare cu carbură de siliciu sunt adesea folosite pentru transport. În plus, ca reprezentant al celei de-a treia generații de materiale semiconductoare cu bandă largă, în comparație cu siliciul (Si) și arseniura de galiu (GaAs), materialul monocristal cu carbură de siliciu are o bandă interzisă mare, conductivitate termică ridicată și mobilitate ridicată cu saturație electronică. rată. și proprietăți avansate ale câmpului electric de defalcare. Dispozitivele SiC compensează deficiențele materialelor semiconductoare tradiționale în aplicațiile practice și au devenit treptat curentul principal al semiconductorilor de putere.

2. Ceramica conductoare din carbură de siliciu

Carbura de siliciu este o ceramică de inginerie foarte importantă. Cu toate acestea, din cauza fragilității, durității ridicate și rezistivității ridicate a ceramicii SiC, este foarte dificil să se prelucreze și să producă piese ceramice SiC de dimensiuni mari sau de formă complexă. Pentru a îmbunătăți prelucrabilitatea ceramicii SiC, performanța de prelucrare a ceramicii SiC poate fi îmbunătățită prin transformarea ceramicii SiC în ceramică conductoare și folosind procesarea cu descărcare electrică. Când rezistivitatea ceramicii SiC este controlată să scadă sub 100Ω·cm, aceasta poate îndeplini cerințele EDM și poate efectua o prelucrare rapidă și precisă a suprafețelor complexe, care este benefică pentru prelucrarea și fabricarea componentelor de dimensiuni mari sau de formă complexă.

3. Zona de rezistență la uzură

Duritatea carburii de siliciu este a doua după diamant și carbură de bor și este un abraziv utilizat în mod obișnuit. Datorită proprietăților sale superdure, poate fi preparat în diferite roți de șlefuit, pânze de șmirghel, șmirghel și diferite abrazive și este utilizat pe scară largă în industria de prelucrare mecanică.

În același timp, duritatea ridicată și coeficientul de frecare scăzut al carburii de siliciu îi conferă o rezistență excelentă la uzură și sunt deosebit de potrivite pentru diferite condiții de frecare și uzură de alunecare. Carbura de siliciu poate fi prelucrată în inele de etanșare cu diferite forme, precizie dimensională și finisaj ridicat al suprafeței. Pe lângă rulmenți etc., aceștia sunt utilizați ca piese mecanice în multe medii dure și au caracteristicile unei bune etanșeitate la aer și o durată lungă de viață.

Carbură de siliciuare, de asemenea, multe domenii de aplicare, cum ar fi medii corozive, aplicații la temperaturi înalte etc. Aplicațiile sale în domenii de înaltă tehnologie precum semiconductori, energia nucleară, apărarea națională și tehnologia spațială sunt, de asemenea, în continuă expansiune, iar perspectivele sale de aplicare sunt foarte largi.