Prima companie de industrializare a substratului de oxid de galiu de 6 inci

Recent, compania noastră a anunțat că compania a dezvoltat cu succes un 6-inchOxid de galiu (Ga2O3)monocristal folosind metoda de turnare, devenind prima companie industrializată autohtonă care stăpânește tehnologia de pregătire a substratului monocristal de oxid de galiu de 6 inci.

Compania a folosit o metodă de turnare auto-inovată pentru a pregăti cu succes un monocristal de 6 inci, dopat neintenționat și conductiv, de oxid de galiu și a procesat unSubstrat de oxid de galiu de 6 inchi.

În comparație cu materialele semiconductoare tradiționale din carbură de siliciu, materialul semiconductor de a patra generațieOxid de galiuare o tensiune de rezistență mai mare, un cost mai mic și o eficiență mai mare de economisire a energiei. Cu performanța sa excelentă și producția la preț redus,Oxid de galiueste utilizat în principal pentru a pregăti dispozitive de alimentare, dispozitive cu frecvență radio și dispozitive de detectare. Este utilizat pe scară largă în tranzitul feroviar, rețelele inteligente, vehiculele cu energie nouă, generarea de energie fotovoltaică, comunicațiile mobile 5G, apărarea națională și industriile militare etc.

În următorii 10 ani și ceva,Oxid de galiueste probabil ca dispozitivele să devină dispozitive electronice de putere competitive și vor concura direct cu dispozitivele cu carbură de siliciu. În plus, industria consideră în general că, în viitor,Oxid de galiueste de așteptat să înlocuiascăCarbură de siliciuși nitrura de galiu să devină reprezentantul unei noi generații de materiale semiconductoare.