Acasă > Știri > Știri din industrie

Ce este epitaxia SiC?

2023-04-06

Epitaxia cu carbură de siliciu (SiC) este o tehnologie cheie în domeniul semiconductorilor, în special pentru dezvoltarea dispozitivelor electronice de mare putere. SiC este un semiconductor compus cu o bandă interzisă largă, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită o funcționare la temperatură ridicată și la tensiune înaltă.

Epitaxia SiC este un proces de creștere a unui strat subțire de material cristalin pe un substrat, de obicei siliciu, folosind tehnici de depunere chimică în vapori (CVD) sau epitaxie cu fascicul molecular (MBE). Stratul epitaxial are aceeași structură și orientare cristalină ca și substratul, ceea ce permite formarea unei interfețe de înaltă calitate între cele două materiale.



Epitaxia SiC a fost utilizată pe scară largă în dezvoltarea electronicii de putere, inclusiv dispozitive de putere, cum ar fi diode, tranzistoare și tiristoare. Aceste dispozitive sunt utilizate într-o gamă largă de aplicații, cum ar fi vehiculele electrice, sistemele de energie regenerabilă și sursele de alimentare.

În ultimii ani, a existat un interes tot mai mare pentru dezvoltarea epitaxiei SiC pentru fabricarea de dispozitive de mare putere pentru aplicații precum vehiculele electrice și sistemele de energie regenerabilă. Cererea pentru aceste dispozitive este de așteptat să crească rapid în următorii ani, determinată de nevoia unor sisteme energetice mai eficiente și durabile.

Ca răspuns la această cerere, cercetătorii și companiile investesc în dezvoltarea tehnologiei de epitaxie SiC, cu accent pe îmbunătățirea calității și reducerea costurilor procesului. De exemplu, unele companii dezvoltă epitaxie SiC pe substraturi mai mari pentru a reduce costul per plachetă, în timp ce altele explorează noi tehnici pentru a reduce densitatea defectelor.

Epitaxia SiC este, de asemenea, utilizată în dezvoltarea de senzori avansați pentru o gamă largă de aplicații, inclusiv senzorul de gaz, senzorul de temperatură și senzorul de presiune. SiC are proprietăți unice care îl fac ideal pentru aceste aplicații, cum ar fi stabilitatea la temperaturi ridicate și rezistența la medii dure.




 

We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept