Silicon intrinsec

Silicon intrinsecse referă la silicon pur, care nu are impurități. Este utilizat în primul rând pentru fabricarea straturilor izolatoare sau a straturilor funcționale specifice în dispozitivele electronice, datorită unei bune conductivități și stabilității sale. La temperatura camerei, siliconul intrinsec are o rezistivitate ridicată, dar la temperaturi ridicate, concentrații de impuritate ridicate sau, în prezența luminii, se comportă ca un semiconductor. Acest comportament rezultă din generarea de electroni și găuri conductive.

Siliconul intrinsec este un material fundamental utilizat pe scară largă în circuite integrate, celule solare, LED -uri și alte aplicații. Structura sa electronică exterioară este similară cu cea a diferitelor elemente, ceea ce o face reactivă chimic în timpul procesului de dopaj, ceea ce duce la formarea de aliaje sau niveluri de energie de impuritate. Această reactivitate permite crearea de materiale care nu efectuează electricitate adăugând diferite elemente la siliciu intrinsec și facilitând reacțiile chimice.

În fabricarea cipurilor, dopajul este utilizat pentru a modifica proprietățile conductive ale siliciului intrinsec pentru a îndeplini funcții specifice dispozitivului. Prin dopaj, siliconul intrinsec poate fi transformat în semiconductori de tip N sau de tip P. Semiconductorii de tip N se caracterizează prin faptul că au electroni ca transportatori majoritari, în timp ce semiconductorii de tip P au găuri ca transportatori majoritari. Diferența de conductivitate între aceste două tipuri de semiconductori rezultă din diferite concentrații de electroni și găuri, care sunt determinate de materialele dopate.

Când se conectează semiconductorii de tip P și N, se formează o joncțiune PN, permițând separarea și mișcarea electronilor și a găurilor. Această interacțiune este fundamentală pentru comutarea și amplificarea funcțiilor în dispozitivele electronice. Când un semiconductor de tip N intră în contact cu un semiconductor de tip p, electronii liberi din regiunea N difuză în regiunea P, umplând găurile și creând un câmp electric încorporat care se extinde de la P la N. Acest câmp electric inhibă difuzarea ulterioară a electronilor.

Când se aplică o tensiune de prejudecată înainte, curentul curge de la partea P la partea N; În schimb, atunci când este părtinitor invers, fluxul de curent este aproape complet blocat. Acest principiu stă la baza funcționării diodelor.

Semicorex oferă de înaltă calitateMateriale de siliciu.Dacă aveți întrebări sau aveți nevoie de detalii suplimentare, nu ezitați să luați legătura cu noi.

Telefon de contact # +86-13567891907

E -mail: sales@semhorex.com